DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 7.5 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, ZXMN6A09G AEC-Q100

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

6 290,00 kr

(exkl. moms)

7 860,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 12 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +6,29 kr6 290,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
122-0612
Tillv. art.nr:
ZXMN6A09GTA
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOT-223

Serie

ZXMN6A09G

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

60mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

3.9W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

24.2nC

Framåtriktad spänning Vf

950mV

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.8mm

Bredd

3.7mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.7mm

Fordonsstandard

AEC-Q100

COO (ursprungsland):
DE

N-kanal MOSFET, 40 V till 90 V, Diodes Inc


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.