DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, ZXMN10A25G
- RS-artikelnummer:
- 122-0609
- Tillv. art.nr:
- ZXMN10A25GTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
6 456,00 kr
(exkl. moms)
8 070,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 6,456 kr | 6 456,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 122-0609
- Tillv. art.nr:
- ZXMN10A25GTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | ZXMN10A25G | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 125mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.85V | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.9W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.7mm | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie ZXMN10A25G | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 125mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.85V | ||
Maximal effektförlust Pd 3.9W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.7mm | ||
Höjd 1.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
N-kanal MOSFET, 100 V till 950 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, ZXMN10A25G
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 480 mA 240 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.8 A 70 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, IntelliFET
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.8 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, IntelliFET
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 3.8 A 70 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 7 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q100
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 0.6 A 450 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMP
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 70 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q101