Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 36 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, TO-247AD, MXP120A
- RS-artikelnummer:
- 847-940
- Tillv. art.nr:
- MXP120A160SL-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
90,65 kr
(exkl. moms)
113,31 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 07 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 90,65 kr |
| 10 - 49 | 56,20 kr |
| 50 - 99 | 34,06 kr |
| 100 + | 33,27 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 847-940
- Tillv. art.nr:
- MXP120A160SL-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 36A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1.2kV | |
| Kapseltyp | TO-247AD | |
| Serie | MXP120A | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 160mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 109W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4.7V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 5.21mm | |
| Längd | 23.6mm | |
| Bredd | 16.13mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 36A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1.2kV | ||
Kapseltyp TO-247AD | ||
Serie MXP120A | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 160mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 109W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Framåtriktad spänning Vf 4.7V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 5.21mm | ||
Längd 23.6mm | ||
Bredd 16.13mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishays SiC-MOSFET med N-kanal ger hög effektivitet och snabba prestanda, vilket gör den idealisk för krävande tillämpningar inom strömhantering och energikontrollsystem.
Snabb omkopplingshastighet optimerar systemets övergripande prestanda
Kortslutningshålltid på 2,5 μs ökar tillförlitligheten
Klassad för en maximal dränering-källspänning på 1200 V säkerställer robust drift
Kontinuerlig dräneringsström på 18 A stöder omfattande driftskrav
Minimal på-resistans uppmätt vid 160 mOhm minskar energiförlusten
Relaterade länkar
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 61 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247AD, MXP120A
- Vishay N Kanal, MOSFET, 29 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247AD 3L, MXP120A
- Vishay N Kanal, MOSFET, 31 A 1200 V N, 4 Ben, TO-247AD, MaxSiC
- Vishay N Kanal, MOSFET, 41 A 1200 V N, 4 Ben, TO-247AD, MaxSiC
- Vishay N Kanal, MOSFET, 51 A 1200 V N, 3 Ben, TO-247AD 3L, MXP
- Vishay N Kanal, MOSFET, 31 A 1200 V N, 4 Ben, TO-247AD, MaxSiC AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 41 A 1200 V N, 4 Ben, TO-247AD, MaxSiC AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 62 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-247AD, E Series