ROHM N Kanal, MOSFET, 3.9 A 1.7 kV, 7 Ben, TO

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 20 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

649,80 kr

(exkl. moms)

812,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 554 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
20 - 9832,49 kr
100 +26,20 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
780-669P
Tillv. art.nr:
SCT2H12NWBTL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

1.7kV

Kapseltyp

TO

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

1.5Ω

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

24nC

Maximal effektförlust Pd

39W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

0mV

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Bredd

10.2mm

Längd

15.5mm

Höjd

4.5mm

Fordonsstandard

Nej

ROHM kiselkarbid-MOSFET ger högpresterande N-kanalswitchning för industriell strömhantering med hög spänning. Denna avancerade SiC-enhet är utformad för extra nätaggregat, vilket säkerställer överlägsen värmeledningsförmåga och lägre omkopplingsförluster jämfört med traditionella kiselkomponenter.

Drain till källspänning på 1700 V

Kontinuerlig avtappningsström på 3,9 A

1,15 ohm typisk påslagningsresistans

Hög effektförlust på 39 W

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.