Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -192 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8L), SQJQ143EL AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 735-117
- Tillv. art.nr:
- SQJQ143EL-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
37,07 kr
(exkl. moms)
46,34 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 37,07 kr |
| 10 - 49 | 23,07 kr |
| 50 - 99 | 17,70 kr |
| 100 + | 14,56 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 735-117
- Tillv. art.nr:
- SQJQ143EL-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | P-kanal | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -192A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | SQJQ143EL | |
| Kapseltyp | PowerPAK (8x8L) | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0059Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 241nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 283W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 8mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 7.9mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp P-kanal | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -192A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie SQJQ143EL | ||
Kapseltyp PowerPAK (8x8L) | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0059Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 241nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 283W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 8mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 7.9mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay Power MOSFET är utformad för fordonstillämpningar, kan arbeta under tuffa förhållanden. Dess robusta konstruktion säkerställer tillförlitlighet i krävande scenarier och optimerar prestandan med sin avancerade design.
Låg påslagningsresistans säkerställer minskad effektförlust
Optimerad termisk prestanda förlänger livslängden
Relaterade länkar
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -175 A -80 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -222 A -60 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 155 A 100 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 118 A 30 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L) AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 445 A 30 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), TrenchFET Gen IV AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 701 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 575 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8L), SQJQ144AE AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 375 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), SQJQ148E AEC-Q101