ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08DBKHRB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-465P
- Tillv. art.nr:
- RD3L08DBKHRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 10%
Visa alternativ för volympriserAntal 20 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
188,60 kr
(exkl. moms)
235,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 20 - 48 | 9,43 kr | - |
| 50 - 198 | 8,45 kr | 10% |
| 200 - 998 | 6,81 kr | 27% |
| 1000 + | 6,68 kr | 29% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-465P
- Tillv. art.nr:
- RD3L08DBKHRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | RD3L08DBKHRB | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 76W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Bredd | 6.8mm | |
| Längd | 10.5mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie RD3L08DBKHRB | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 76W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.3mm | ||
Bredd 6.8mm | ||
Längd 10.5mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- TH
ROHM Power MOSFET är konstruerad för hög prestanda i krävande tillämpningar och erbjuder tillförlitliga omkopplingsfunktioner med låg påslagningsresistans och en robust brytspänning. Utformad för att hantera upp till 80 A kontinuerlig dräneringsström och med en maximal dräneringskällspänning på 60 V säkerställer denna komponent effektivitet och hållbarhet. Den är idealisk för fordonselektronik, belysning och andra strömhanteringssystem, med blyfri plätering och är AEC-Q101-kvalificerad, vilket gör den kompatibel med de senaste industristandarderna. Denna MOSFET ger en kombination av exceptionell termisk prestanda och tillförlitlighet, vilket gör den till ett lämpligt val för ingenjörer som vill optimera sina kretsdesigner.
Låg påslagningsresistans på 7,5 mΩ maximerar effektiviteten
AEC Q101-kvalificering säkerställer hög tillförlitlighet i fordonstillämpningar
Består 100 % avalanche-test för ökad hållbarhet
Kan hantera kontinuerlig dräneringsström upp till 80 A
Maximal drain-källspänning på 60 V ger betydande överhettning
Blyfri plätering följer RoHS-kompatibilitet, vilket främjar miljöansvar
Mångsidig förpackning säkerställer kompatibilitet över olika applikationsdesigner
Idealisk för användning i ADAS, informationssystem och karosskontrolltillämpningar
Har låga gate-laddningsegenskaper för snabbare omkopplingstider