ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG191FLD3HRB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-454P
- Tillv. art.nr:
- AG191FLD3HRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 52,25 kr
Visa alternativ för volympriserAntal 20 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
197,80 kr
(exkl. moms)
247,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 98 enhet(er) från den 10 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 20 - 48 | 9,89 kr | - |
| 50 - 198 | 8,845 kr | 52,25 kr |
| 200 - 998 | 7,14 kr | 550,00 kr |
| 1000 + | 7,01 kr | 2 880,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-454P
- Tillv. art.nr:
- AG191FLD3HRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | AG191FLD3HRB | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 76W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 6.8mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC-Q101 | |
| Längd | 10.5mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie AG191FLD3HRB | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 76W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 6.8mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC-Q101 | ||
Längd 10.5mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHM Power MOSFET är konstruerad för högpresterande tillämpningar och ger exceptionell effektivitet med en maximal drain-source-spänning på 60 V och en kontinuerlig drain-ström på 80 A. Utformad för krävande fordonssystem, har denna enhet låg påslagningsresistans, vilket säkerställer minskad effektförlust och förbättrad värmehantering. Dess robusta konstruktion inkluderar AEC-Q101-kvalificering, vilket gör den lämplig för användning i krävande fordonsmiljöer. Med en flerdimensionell värmebeständighetskapacitet hanterar denna MOSFET effektivt värmestress, vilket säkerställer tillförlitlighet under varierande driftsförhållanden. AG191FLD3HRB är idealisk för ingenjörer som söker en tillförlitlig komponent i högeffektiva tillämpningar och utmärker sig genom sin prestanda och driftsintegritet.
Lågt påslagningsmotstånd ger förbättrad effektivitet och minskar värmegenerering
Blyfri plätering överensstämmer med RoHS-standarder för miljösäkerhet
100 % avalanche-test garanterar tillförlitlig prestanda under påfrestning
AEC Q101-kvalificerad, vilket säkerställer överensstämmelse med fordonsindustristandarder
Stöder ett brett drifts- och förvaringstemperaturområde från -55 °C till 175 °C
Flexibla förpackningsspecifikationer med tejp- och rullformat för bekväm montering
Integrerad termisk resistans minimerar termiska problem under drift
Levereras med exakta gate-laddningsegenskaper för optimal omkopplingsprestanda