ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs, 9 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8MD5HT
- RS-artikelnummer:
- 687-385P
- Tillv. art.nr:
- HT8MD5HTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 89,50 kr
Visa alternativ för volympriserAntal 20 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
347,20 kr
(exkl. moms)
434,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 200 enhet(er) levereras från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 20 - 48 | 17,36 kr | - |
| 50 - 198 | 15,57 kr | 89,50 kr |
| 200 - 998 | 12,545 kr | 963,00 kr |
| 1000 + | 12,15 kr | 5 210,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-385P
- Tillv. art.nr:
- HT8MD5HTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Dubbel N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | HSMT-8 | |
| Serie | HT8MD5HT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 165mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 13.0W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.4mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 800μm | |
| Längd | 3.45mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Dubbel N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp HSMT-8 | ||
Serie HT8MD5HT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 165mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Maximal effektförlust Pd 13.0W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.4mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 800μm | ||
Längd 3.45mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- JP
ROHM Power MOSFET är utformad för mångsidiga elektroniska tillämpningar. Med sin dubbla N-kanal- och P-kanalkonfiguration ger denna komponent exceptionella prestanda, vilket möjliggör effektiv strömhantering i motorstyrningar och andra krävande kretsar. Funktioner som låg påslagningsresistans säkerställer minimal effektförlust under drift, medan HSMT8-förpackningen möjliggör ett kompakt fotavtryck utan att kompromissa med prestandan. HT8MD5H stöder ett brett spänningsområde och är kompatibel med RoHS- och halogenfria standarder, vilket gör den till ett idealiskt val för miljömedvetna konstruktioner. Denna MOSFET är tillverkad med tillförlitlighet i åtanke och är lämplig för olika tillämpningar som kräver robust prestanda under varierande förhållanden.
Konstruktioner med låg påslagningsresistans förbättrar effektiviteten i strömtillämpningar
Hög effektkapacitet i ett kompakt HSMT8-paket effektiviserar integrering
RoHS-kompatibel och halogenfri konstruktion stöder miljövänlig design
100 % Rg och UIS-testad för tillförlitlighet under krävande driftsförhållanden
Optimerad för motorstyrningstillämpningar, vilket säkerställer effektiv strömstyrning
Brett spänningsområde säkerställer mångsidighet i olika elektroniska miljöer
Utformad för att motstå maximala kopplingstemperaturer på upp till 150 °C