ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 30 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3N03BAT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-384P
- Tillv. art.nr:
- RD3N03BATTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 9%
Visa alternativ för volympriserAntal 20 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
144,10 kr
(exkl. moms)
180,12 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 346 enhet(er) från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 20 - 48 | 7,205 kr | - |
| 50 - 198 | 6,485 kr | 9% |
| 200 - 998 | 5,24 kr | 27% |
| 1000 + | 5,11 kr | 29% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-384P
- Tillv. art.nr:
- RD3N03BATTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | RD3N03BAT | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 56mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 50nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 54W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Längd | 10.5mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Bredd | 6.8mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie RD3N03BAT | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 56mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 50nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 54W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.3mm | ||
Längd 10.5mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Bredd 6.8mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- JP
ROHM P-kanals effekt-MOSFET är utformad för att leverera effektiv drift i en mängd olika applikationer, inklusive motorstyrningar och omkopplingskretsar. Med en maximal dräneringskällspänning på -80 V och kontinuerlig dräneringsströmkapacitet som når -30 A är denna enhet konstruerad för robust prestanda under krävande förhållanden. Dess låga påslagningsresistans på 56 mΩ säkerställer optimal effektivitet, vilket minimerar energiförluster under drift. Dessutom möjliggör TO-252-kapseln enkel integrering i elektroniska konstruktioner, vilket ger mångsidighet och tillförlitlighet i kompakta formfaktorer. RD3N03BAT är också kompatibel med RoHS- och halogenfria standarder, vilket gör den till ett lämpligt val för miljömedvetna konstruktioner.
Lågt påslagningsmotstånd för förbättrad effektivitet och minskad värmehantering
Hög effektkapacitet i ett kompakt TO-252-paket för mångsidig användning
RoHS- och halogenfri överensstämmelse säkerställer miljösäkerhet för modern elektronik
Omfattande tester, inklusive Rg och UIS, garanterar tillförlitlig drift och prestanda
Brett driftstemperaturområde på -55 till +150 °C stöder olika miljöförhållanden
Utformad med tillförlitliga avalancheenergiklassningar för ökad säkerhet under transientförhållanden