ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8KF6H
- RS-artikelnummer:
- 687-371P
- Tillv. art.nr:
- HT8KF6HTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Antal 2 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
17,36 kr
(exkl. moms)
21,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 2 + | 8,68 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-371P
- Tillv. art.nr:
- HT8KF6HTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Dubbel N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | HSMT-8 | |
| Serie | HT8KF6H | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 214mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 14W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.4mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 0.8mm | |
| Längd | 3.45mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Dubbel N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp HSMT-8 | ||
Serie HT8KF6H | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 214mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 14W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.4mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 0.8mm | ||
Längd 3.45mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM N-kanals effekt-MOSFET är utformad för effektiv strömhantering i olika tillämpningar. Denna komponent ger robusta elektriska egenskaper, inklusive en maximal kontinuerlig dräneringsström på ±7,0 A, vilket säkerställer tillförlitlig drift under höga belastningar. Dess blyfria och halogenfria material uppfyller RoHS-standarder, vilket bidrar till miljövänliga konstruktioner. Denna MOSFET: s termiska motstånd är optimerad, vilket möjliggör effektiv värmeavledning, vilket förbättrar enhetens livslängd och prestanda i olika elektroniska tillämpningar.
Lågt påslagningsmotstånd för förbättrad effektivitet
Hög effektkapacitet i en kompakt HSMT8-formpaket
Uppfyller RoHS-föreskrifter med blyfri plätering
Halogenfri design för att stödja miljövänliga initiativ
Mångsidig tillämpning i motorstyrningar och strömhanteringssystem
Hög maximal kopplingstemperatur på 150 °C
Imponerande maximal effektförlust på 14 W
Tillförlitliga avalanchegenskaper med en maximal energi på 0,24 mJ