ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG501EGD3HRB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-359P
- Tillv. art.nr:
- AG501EGD3HRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 10%
Visa alternativ för volympriserAntal 20 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
334,10 kr
(exkl. moms)
417,62 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 20 - 48 | 16,705 kr | - |
| 50 - 198 | 15,00 kr | 10% |
| 200 - 998 | 12,12 kr | 27% |
| 1000 + | 11,79 kr | 29% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-359P
- Tillv. art.nr:
- AG501EGD3HRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -40V | |
| Serie | AG501EGD3HRB | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 142W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 145nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 6.8mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Längd | 10.5mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -40V | ||
Serie AG501EGD3HRB | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 142W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 145nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 5V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 6.8mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Höjd 2.3mm | ||
Längd 10.5mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHM P-kanals effekt-MOSFET är utformad för effektiv energihantering i fordonssystem och olika tillämpningar. Med en maximal drain-source-spänning på -40 V och en kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på upp till -80 A ger denna robusta enhet exceptionell tillförlitlighet under krävande driftsförhållanden. Med en låg påslagningsresistans på bara 4,9 mΩ säkerställer den minimal energiförlust, vilket bidrar till förbättrad övergripande systemeffektivitet och termisk prestanda. Denna MOSFET är också AEC-Q101-kvalificerad, vilket lyfter fram dess lämplighet för fordonstillämpningar där strikta standarder måste uppfyllas.
Erbjuder låg påslagningsresistans för minskad effektförlust och ökad effektivitet
AEC Q101-kvalificerad, vilket säkerställer tillförlitlighet för fordons- och kritiska tillämpningar
Avalanche-testad för att garantera prestanda under dynamiska förhållanden
Stöder en maximal effektförlust på 142 W, kompatibel med högpresterande konstruktioner
Brett arbetstemperaturområde från -55 °C till 175 °C, vilket möjliggör användning i olika miljöer
Blyfri plätering och RoHS-kompatibel, uppfyller moderna miljöstandarder
Optimerade förpackningsspecifikationer, inklusive inbäddningsalternativ för automatiserad montering
Ger en garanterad avalancheenergiklassning, vilket säkerställer robust drift under transienter