ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 300 A 100 V Förbättring, 8 Ben, DFN8080T8LSHAAI, RY7P250BM
- RS-artikelnummer:
- 687-343P
- Tillv. art.nr:
- RY7P250BMTBC
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 10%
Visa alternativ för volympriserAntal 20 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
1 095,20 kr
(exkl. moms)
1 369,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 134 enhet(er) levereras från den 26 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 20 - 98 | 54,76 kr | - |
| 100 - 198 | 49,19 kr | 10% |
| 200 + | 38,645 kr | 29% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-343P
- Tillv. art.nr:
- RY7P250BMTBC
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 300A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | DFN8080T8LSHAAI | |
| Serie | RY7P250BM | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.86mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 240nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 340W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.7mm | |
| Höjd | 800μm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 1.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 300A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp DFN8080T8LSHAAI | ||
Serie RY7P250BM | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.86mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 240nC | ||
Maximal effektförlust Pd 340W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.7mm | ||
Höjd 800μm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 1.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM Power MOSFET är utformad för krävande tillämpningar som kräver utmärkt effektivitet och tillförlitlighet. Denna MOSFET är idealisk för användning i Hot Swap-styrenheter och andra strömomkopplingstillämpningar, där den låga påslagningsresistansen på 1,86 mΩ säkerställer minimal energiförlust under drift. Denna komponent är RoHS och halogenfri, vilket gör den till ett säkert val för miljömedvetna konstruktioner. Med avancerade funktioner som 100 % Rg och UIS-test garanterar den robust prestanda under varierande förhållanden, vilket gör den lämplig för högpresterande och högt tillförlitliga elektroniska kretsar.
Lågt påslagningsmotstånd för ökad effektivitet
Wide-SOA-egenskaper för överlägsen tillförlitlighet
Utformad för att hantera kontinuerliga dräneringsströmmar på upp till 250 A
Hög pulserad dräneringsströmkapacitet på ±900 A
Utmärkt värmehantering med värmebeständighet på 0,44 °C/W
Lämplig för ett brett driftstemperaturområde på -55 till +175 °C
Uppfyller RoHS- och halogenfria standarder.