Vishay Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 172 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SISS5208DN

RS-artikelnummer:: 653-148
Tillv. art.nr:: SISS5208DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 172 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SISS5208DN

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

19 488,00 kr

(exkl. moms)

24 360,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 3 000 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	6,496 kr	19 488,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 653-148
Tillv. art.nr:: SISS5208DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	Enkla MOSFETs
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	172A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Kapseltyp	PowerPAK
	Serie	SISS5208DN
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.0013Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	8V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	24.6nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Maximal effektförlust Pd	56.8W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	0.83mm
	Längd	3.40mm
	Bredd	3.40mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp Enkla MOSFETs
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 172A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Kapseltyp PowerPAK
	Serie SISS5208DN
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.0013Ω
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24.6nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Maximal effektförlust Pd 56.8W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 0.83mm
	Längd 3.40mm
	Bredd 3.40mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SISS5208DN-T1-GE3

COO (ursprungsland):: CN

Vishay SISS5208DN-serien enkel MOSFET, 20 V maximal drain-källspänning, 172 A maximal kontinuerlig drain-ström – SISS5208DN-T1-GE3

Denna enkla MOSFET är en ytmonterad N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för högströmsomkoppling i kompakta strömförsörjningsenheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för tillämpningar som kräver snabb omkoppling och betydande kontinuerlig dräneringskapacitet samtidigt som den bibehåller effektivt termiskt beteende.

Funktioner och fördelar:

• 172 A kontinuerlig dräneringsström möjliggör hantering av hög belastning • 20 V drain-source-klassning stöder lågspännings strömskenor • 0,0013 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster • 24,6 nC grindladdning möjliggör kontrollerad omkopplingsdynamik • Effektförlust på 56,8 W hanterar termisk påfrestning under belastning • Maximal drifttemperatur på 150 °C möjliggör användning i förhöjd miljö

Användningsområden

• Lämpligt för motordriftsteg i automationsutrustning • Idealisk för högströms DC-DC-omvandlare i nätaggregat • Används för belastningsomkoppling i industriella kontrollpaneler • Kan användas för H-bryggutgångsstegen i robotteknik • Används med högeffekts MOSFET-arrayer i växelriktarmoduler

Vilket grindspänningsområde ska jag planera för i grinddrivkonstruktion?

Enheten accepterar gate-källspänningar upp till 8 V, så en gate-drivare som ger Vgs inom denna gräns säkerställer säker drift.

Hur påverkar förpackningen kretskortslayout och termiska vägar?

PowerPAK ytmonterat paket koncentrerar termiska och elektriska anslutningar på ett litet fotavtryck, så kopparhögningar och termiska ledningar rekommenderas för att avleda enhetens 56,8 W effektförlust.

Vilka omgivningsförhållanden är tillåtna för tillförlitlig drift?

Komponenten är klassad för drift ned till -55 °C och upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i tuffa industriella temperaturområden.

Hur bör inkopplings- eller transientströmmar beaktas i designen?

Med en låg Rds(on) på 0,0013Ω och hög kontinuerlig strömkapacitet bör transientbelastning utvärderas mot överspänningsförmåga och kretskortsspårningsström för att förhindra överbelastning.