Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 78 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, SIJ4406DP
- RS-artikelnummer:
- 653-105
- Tillv. art.nr:
- SIJ4406DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
16 338,00 kr
(exkl. moms)
20 424,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 6 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 5,446 kr | 16 338,00 kr |
*vägledande pris
Alternativ
Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.
1 tejp med 1
11,87 kr
(exkl. moms)
14,84 kr
(inkl. moms)
- RS-artikelnummer:
- 653-105
- Tillv. art.nr:
- SIJ4406DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 78A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerPAK | |
| Serie | SIJ4406DP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.00475Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10.9nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 41.6W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5.25mm | |
| Längd | 6.25mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.14mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 78A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerPAK | ||
Serie SIJ4406DP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.00475Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.9nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal effektförlust Pd 41.6W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5.25mm | ||
Längd 6.25mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.14mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishays N-kanal MOSFET är utformad för högeffektiv omkoppling i kompakta kraftsystem. Den stöder upp till 40 V drain-källspänning. Förpackad i PowerPAK SO-8L, den använder TrenchFET Gen IV-teknik för att leverera mycket låg grindladdning (Qg), minskad utgångsladdning (Qoss) och utmärkt omkopplingseffektivitet.
Blyfri
Halogenfria
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 78 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, SIJ4406DP
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 78 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIR4406DP
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 81 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIRA12DDP
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 42.8 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SISS5812DN
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 2.17 A 100 V Förbättring, 3 Ben, PowerPAK, SI2122DS
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 172 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SISS5208DN
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 1.95 A 100 V Förbättring, 6 Ben, PowerPAK, SI3122DV
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 18 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIS5712DN