Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 680 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIRS4300DP

RS-artikelnummer:: 653-095
Tillv. art.nr:: SIRS4300DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 680 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIRS4300DP

Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*

78 840,00 kr

(exkl. moms)

98 550,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 3 000 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	26,28 kr	78 840,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 653-095
Tillv. art.nr:: SIRS4300DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	Enkla MOSFETs
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	680A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Serie	SIRS4300DP
	Kapseltyp	PowerPAK
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.00040Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	278W
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	84nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	950μm
	Längd	6.1mm
	Bredd	5.1mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp Enkla MOSFETs
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 680A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Serie SIRS4300DP
	Kapseltyp PowerPAK
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.00040Ω
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 278W
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 84nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 950μm
	Längd 6.1mm
	Bredd 5.1mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SIRS4300DP-T1-RE3

COO (ursprungsland):: CN

Vishay SIRS4300DP-serien enkel MOSFET, 30 V maximal drain-källspänning, 680 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIRS4300DP-T1-RE3

Denna enkla MOSFET-enhet är en N-kanalförstärkningshalvledare avsedd för högströmsomkopplings- och strömomvandlingsroller i industriell elektronik. Den levereras i ett 8-stifts PowerPAK-paket för ytmontering och är lämplig för krävande termiska och elektriska miljöer där kompakt omkoppling med låg förlust krävs.

Funktioner och fördelar:

• 30 V avtappningsklassning möjliggör lågspännings-effektstegsdesigner • 680 A kontinuerlig dräneringsström stöder omkoppling av tung belastning • 0,00040 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster för effektivitet • 84 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare grindövergångar • 278 W effektförlust hanterar hög energigenomströmning • Fungerar upp till 150 °C för tillämpningar med förhöjd temperatur

Användningsområden

• Lämplig för högströms DC-DC-omvandlare i automationssystem • Idealisk för effektsteg i motorstyrningar • Används för synkron likriktering i strömförsörjningsmoduler • Kan användas för lastomkoppling i industriell strömfördelning • Används med parallella arrays för datacenter power racks

Vilken gate-drivmarginal är acceptabel för tillförlitlig omkoppling?

Enheten tolererar grindspänningar upp till 20 V

grinddrivare för att fungera inom denna gräns och för att uppnå den typiska 84 nC-laddningen för avsedda omkopplingshastigheter.

Hur bör värmehantering hanteras på ett kretskort?

Med tanke på 278 W avledningsförmåga, använd stora kopparytor, termiska vägar och direkt värmeavledning till PowerPAK exponerad pad för att hålla kopplingstemperaturer inom gränserna.

Kan den parallellkopplas för att öka strömkapaciteten?

Parallellisering är möjlig förutsatt att matchande Rds(on) och lämpliga strömfördelningsåtgärder implementeras, tillsammans med noggrann gate-drive-timing för att undvika obalans.

Vilket omgivningstemperaturområde kan den tolerera under service?

Komponenten är specificerad för drift ned till -55 °C och upp till 150 °C för kopplings- eller höljesförhållanden som definieras i systemtermisk design.

Vilka förpackningsöverväganden påverkar layouttätheten?

Det 8-poliga PowerPAK-format för ytmontering möjliggör kompakt placering men kräver uppmärksamhet på kopparvärmeväxling och spårbredd för höga strömvägar.