Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 0.73 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, TN2510
- RS-artikelnummer:
- 649-584P
- Tillv. art.nr:
- TN2510N8-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
598,10 kr
(exkl. moms)
747,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 10 enhet(er) från den 21 september 2026
- Dessutom levereras 2 000 enhet(er) från den 29 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 50 - 245 | 11,962 kr |
| 250 - 495 | 10,73 kr |
| 500 + | 9,094 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 649-584P
- Tillv. art.nr:
- TN2510N8-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 0.73A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | TN2510 | |
| Kapseltyp | SOT-89 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.6W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 0.73A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie TN2510 | ||
Kapseltyp SOT-89 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.6W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips låg tröskel, förstärkningsläge (normalt avstängd) transistor använder en vertikal DMOS-struktur och välbeprövad tillverkning med silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapaciteten hos bipolära transistorer och den höga ingångsimpedansen och positiva temperaturkoefficienten som är inneboende i MOS-enheter. Den här enheten är karakteristisk för alla MOS-strukturer och är fri från termiskt avbrott och termiskt inducerad sekundärnedbrytning. Vertikala DMOS FET-transistorer är idealiska för ett brett utbud av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där mycket låg tröskelspänning, hög spänningsbrytning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.
Snabba växlingshastigheter
Låg på-resistans
Fri från sekundära avbrott
Lågt ingångs- och utgångsläckage