Microchip Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 0.73 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, TN2510
- RS-artikelnummer:
- 649-584P
- Tillv. art.nr:
- TN2510N8-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Mängdrabatt möjlig
Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
441,30 kr
(exkl. moms)
551,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 975 enhet(er) från den 04 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 50 - 245 | 8,826 kr |
| 250 - 495 | 7,93 kr |
| 500 + | 6,698 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 649-584P
- Tillv. art.nr:
- TN2510N8-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 0.73A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | TN2510 | |
| Kapseltyp | SOT-89 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.6W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 0.73A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie TN2510 | ||
Kapseltyp SOT-89 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.6W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Microchip Low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage