Microchip Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 72 mA 350 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-89, DN3135
- RS-artikelnummer:
- 649-459P
- Tillv. art.nr:
- DN3135N8-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
360,60 kr
(exkl. moms)
450,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 975 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 50 - 245 | 7,212 kr |
| 250 - 495 | 6,452 kr |
| 500 + | 5,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 649-459P
- Tillv. art.nr:
- DN3135N8-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 72mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 350V | |
| Serie | DN3135 | |
| Kapseltyp | SOT-89 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 35Ω | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.3W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.3mm | |
| Längd | 2.9mm | |
| Standarder/godkännanden | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 72mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 350V | ||
Serie DN3135 | ||
Kapseltyp SOT-89 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 35Ω | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.3W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.3mm | ||
Längd 2.9mm | ||
Standarder/godkännanden Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Höjd 1.12mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips transistor med låg tröskel för utarmningsläge (normalt på) använder en avancerad vertikal DMOS-struktur och en välbeprövad tillverkning av silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapacitet för bipolära transistorer och med hög ingångsimpedans och positiv temperaturkoefficient som är inneboende i MOS-enheter. Den här enheten är karakteristisk för alla MOS-strukturer och är fri från termiskt avbrott och termiskt inducerad sekundärnedbrytning. Vertikala DMOS FET är idealiska för ett brett spektrum av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där hög brytningsspänning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.
Hög ingångsimpedans
Låg ingångskapacitans
Snabba växlingshastigheter
Låg på-resistans
Fri från sekundära avbrott
Lågt ingångs- och utgångsläckage