ROHM 2 N Kanal, MOSFET-arrayer, 12.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8KE6

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

770,60 kr

(exkl. moms)

963,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
100 - 4907,706 kr
500 - 9906,91 kr
1000 +5,466 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
646-615P
Tillv. art.nr:
HT8KE6HTB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET-arrayer

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

HT8KE6

Kapseltyp

HSMT-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

60mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

14W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.3nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS, Halogen Free, Pb Free

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

ROHM Power MOSFET med låg påslagningsresistans och litet formpaket med hög effekt som är lämpligt för omkopplings- och motordrivartillämpningar.

Blyfri plätering

RoHS-kompatibel

Halogenfri

100 % Rg- och UIS-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.