STMicroelectronics 6 Typ N Kanal Sixpack-topologi, MOSFET-arrayer, 30 A 1200 V Förbättring, 32 Ben, ACEPACK DMT-32,
- RS-artikelnummer:
- 640-673
- Tillv. art.nr:
- M2P45M12W2-1LA
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
662,59 kr
(exkl. moms)
828,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 14 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 662,59 kr |
| 5 + | 642,66 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 640-673
- Tillv. art.nr:
- M2P45M12W2-1LA
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET-arrayer | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | M2P45M12W2 | |
| Kapseltyp | ACEPACK DMT-32 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 32 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2.5V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 100nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Transistorkonfiguration | Sixpack-topologi | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 27.90 mm | |
| Längd | 44.50mm | |
| Standarder/godkännanden | AQG 324, Automotive‐grade | |
| Höjd | 5.90mm | |
| Antal element per chip | 6 | |
| Fordonsstandard | AQG 324 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET-arrayer | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie M2P45M12W2 | ||
Kapseltyp ACEPACK DMT-32 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 32 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 2.5V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 100nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Transistorkonfiguration Sixpack-topologi | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 27.90 mm | ||
Längd 44.50mm | ||
Standarder/godkännanden AQG 324, Automotive‐grade | ||
Höjd 5.90mm | ||
Antal element per chip 6 | ||
Fordonsstandard AQG 324 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The STMicroelectronics automotive-grade power module housed in the ACEPACK DMT-32 package. It implements a sixpack topology using second-generation silicon carbide (SiC) MOSFETs, optimized for the DC/DC converter stage in on-board chargers (OBCs) for hybrid and electric vehicles. Designed for high-efficiency and high-frequency switching, it integrates an NTC thermistor for temperature monitoring and features an aluminum nitride (AlN) insulated substrate for superior thermal performance.
1200 V blocking voltage for high-voltage applications
Typical RDS(on) of 47.5 mΩ for reduced conduction losses
Maximum junction temperature of 175 °C for thermal robustness
DBC Cu-AlN-Cu substrate for efficient heat dissipation
3 kV isolation voltage for enhanced safety
Integrated NTC sensor for real-time thermal feedback