STMicroelectronics 6 Typ N Kanal Sixpack-topologi, MOSFET-arrayer, 30 A 1200 V Förbättring, 32 Ben, ACEPACK DMT-32,
- RS-artikelnummer:
- 640-673
- Tillv. art.nr:
- M2P45M12W2-1LA
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
567,73 kr
(exkl. moms)
709,66 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 27 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 567,73 kr |
| 5 + | 550,59 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 640-673
- Tillv. art.nr:
- M2P45M12W2-1LA
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET-arrayer | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | M2P45M12W2 | |
| Kapseltyp | ACEPACK DMT-32 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 32 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 100nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Sixpack-topologi | |
| Standarder/godkännanden | AQG 324, Automotive‐grade | |
| Längd | 44.50mm | |
| Höjd | 5.90mm | |
| Antal element per chip | 6 | |
| Fordonsstandard | AQG 324 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET-arrayer | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie M2P45M12W2 | ||
Kapseltyp ACEPACK DMT-32 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 32 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 2.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 100nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration Sixpack-topologi | ||
Standarder/godkännanden AQG 324, Automotive‐grade | ||
Längd 44.50mm | ||
Höjd 5.90mm | ||
Antal element per chip 6 | ||
Fordonsstandard AQG 324 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics strömmodul av fordonskvalitet hyser i ACEPACK DMT-32-kapseln. Den implementerar en sexpack topologi med andra generationens MOSFET:er av kiselkarbid (SiC), optimerad för DC/DC-omvandlarsteg i inbyggda laddare (OBC) för hybrid- och elfordon. Utformad för högeffektiv och högfrekvent omkoppling, den integrerar en NTC-termistor för temperaturövervakning och har ett aluminiumnitrid (AlN) isolerat substrat för överlägsen termisk prestanda.
1200 V blockeringsspänning för högspänningstillämpningar
Typisk RDS(on) på 47,5 mΩ för minskade ledningsförluster
Maximal kopplingstemperatur på 175 °C för termisk robusthet
DBC Cu-AlN-Cu-substrat för effektiv värmeavledning
3 kV isolationsspänning för ökad säkerhet
Integrerad NTC-sensor för termisk återkoppling i realtid
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, MOSFET, 30 A 1200 V, 32 Ben, ACEPACK DMT-32, M1F
- STMicroelectronics 8 Typ N Kanal, MOSFET-arrayer, 30 A 1200 V Förbättring, 32 Ben, ACEPACK DMT-32, M2TP80M12W2 AEC
- STMicroelectronics, MOSFET, 488 A 1200 V, 9 Ben, ACEPACK DRIVE, ADP
- STMicroelectronics, MOSFET, 275 A 1200 V, 9 Ben, ACEPACK DRIVE, ADP
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 32 A 650 V, 3 Ben, ACEPACK SMIT
- STMicroelectronics, MOSFET, 379 A 1200 V, 9 Ben, ACEPACK DRIVE, Surface Mount AQG 324
- STMicroelectronics, SiC-effektmodul, 75 A 1200 V Förbättring, ACEPACK 2, A2F AEC-Q101
- STMicroelectronics, Effektmodul, 488 A 1200 V, 9 Ben, ACEPACK DRIVE, ADP AQG 324