Semikron Danfoss, SiC-effektmodul, 223 A 1200 V, SEMITOP E2, SEMITOP
- RS-artikelnummer:
- 351-859
- Tillv. art.nr:
- SK200MB120CR03TE2
- Tillverkare / varumärke:
- Semikron Danfoss
Antal (1 enhet)*
2 055,65 kr
(exkl. moms)
2 569,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 37 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 2 055,65 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 351-859
- Tillv. art.nr:
- SK200MB120CR03TE2
- Tillverkare / varumärke:
- Semikron Danfoss
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Semikron Danfoss | |
| Produkttyp | SiC-effektmodul | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 223A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | SEMITOP | |
| Kapseltyp | SEMITOP E2 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 590nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 12mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61340/UL | |
| Längd | 63mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Semikron Danfoss | ||
Produkttyp SiC-effektmodul | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 223A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie SEMITOP | ||
Kapseltyp SEMITOP E2 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 4.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 590nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 12mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 61340/UL | ||
Längd 63mm | ||
- COO (ursprungsland):
- IT
The Semikron SiC MOSFET WS half-bridge features a 223 A current rating and is simple to drive with a +15V gate voltage. It offers optimized switching stability with module-integrated gate resistors and includes an integrated NTC temperature sensor for efficient thermal monitoring. UL recognized under file no. E63532.
Optimized design for superior thermal performance
Extremely low inductance design
Press Fit contact technology
1200V Planar Gen3 SiC MOSFET
