Infineon N Kanal, MOSFET, 10.5 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMB
- RS-artikelnummer:
- 349-105
- Tillv. art.nr:
- IMBG120R181M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
116,70 kr
(exkl. moms)
145,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 13 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 58,35 kr | 116,70 kr |
| 20 - 198 | 52,47 kr | 104,94 kr |
| 200 - 998 | 48,33 kr | 96,66 kr |
| 1000 - 1998 | 44,91 kr | 89,82 kr |
| 2000 + | 40,32 kr | 80,64 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-105
- Tillv. art.nr:
- IMBG120R181M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1.2kV | |
| Serie | IMB | |
| Kapseltyp | PG-TO263-7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 181.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9.7nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Maximal effektförlust Pd | 94W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 10.2mm | |
| Längd | 15mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Höjd | 4.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1.2kV | ||
Serie IMB | ||
Kapseltyp PG-TO263-7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 181.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.7nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Maximal effektförlust Pd 94W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 10.2mm | ||
Längd 15mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Höjd 4.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 är en högpresterande MOSFET av kiselkarbid som är utformad för överlägsen effektivitet med mycket låga omkopplingsförluster. Med en kortslutningshålltid på 2 μs ger enheten ett robust skydd mot fel. Gränsspänningen (VGS(th)) på 4,2 V säkerställer optimal omkopplingsprestanda, vilket gör den till ett utmärkt val för krävande strömtillämpningar som kräver hög effektivitet och tillförlitlighet.
Robust husdiod för hård omkoppling
.XT-anslutningsteknik för klassens bästa termiska prestanda
Bättre energieffektivitet
Kyloptimering
Högre effekttäthet
Nya robusta funktioner
Mycket tillförlitlig
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 107 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 53 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 62 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 144 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 189 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8.1 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 52 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21.2 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMB