onsemi N Kanal, MOSFET, 45 A 20 V Förbättring, 33 Ben, PQFN-31 (5 x 5 mm), NCP402045
- RS-artikelnummer:
- 333-411
- Tillv. art.nr:
- NCP402045MNTWG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 5 enheter)*
78,58 kr
(exkl. moms)
98,23 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 15,716 kr | 78,58 kr |
| 50 - 95 | 14,93 kr | 74,65 kr |
| 100 - 495 | 13,846 kr | 69,23 kr |
| 500 - 995 | 12,762 kr | 63,81 kr |
| 1000 + | 12,274 kr | 61,37 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 333-411
- Tillv. art.nr:
- NCP402045MNTWG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | NCP402045 | |
| Kapseltyp | PQFN-31 (5 x 5 mm) | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 33 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 10.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 600V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie NCP402045 | ||
Kapseltyp PQFN-31 (5 x 5 mm) | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 33 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 10.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 600V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TH
ON Semiconductors integrerade drivare och MOSFET integrerar en MOSFET-drivare, hög-sidig MOSFET och låg-sidig MOSFET i en enda kapsel. Drivaren och MOSFET:erna har optimerats för DC-DC-omvandlingstillämpningar med hög strömstyrka. Denna integrerade lösning minskar avsevärt paketets parasiter och kortutrymme jämfört med en diskret komponentlösning.
Termisk varningsutgång
PQFN31-paket
Intern bootstrap-diod
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 31 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, NTMFS
- onsemi N Kanal, MOSFET, 124 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, FDMS86181
- onsemi N Kanal, MOSFET, 32 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, NTMFS006N08MC
- onsemi N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PQFN, NTMT110N
- onsemi N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PQFN, NTMT150N
- onsemi N Kanal, MOSFET, 67 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, FDMS
- onsemi N Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PQFN, NTMT090N
- onsemi N Kanal, MOSFET, 22 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, FDMC
