STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5 A 800 V, 3 Ben, TO-220FP, STF
- RS-artikelnummer:
- 330-450
- Tillv. art.nr:
- STF80N1K1K6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
506,95 kr
(exkl. moms)
633,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 950 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 10,139 kr | 506,95 kr |
| 500 - 950 | 9,632 kr | 481,60 kr |
| 1000 + | 8,922 kr | 446,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 330-450
- Tillv. art.nr:
- STF80N1K1K6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-220FP | |
| Serie | STF | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.1Ω | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 21W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 9.3mm | |
| Bredd | 4.6mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-220FP | ||
Serie STF | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.1Ω | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.7nC | ||
Maximal effektförlust Pd 21W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 9.3mm | ||
Bredd 4.6mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
STMicroelectronics högspännings-N-kanal-effekt-MOSFET är utformad med den ultimata MDmesh K6-tekniken baserad på 20 års STMicroelectronics erfarenhet av superkopplingsteknik. Resultatet är klassens bästa påslagningsresistans per område och grindladdning för tillämpningar som kräver överlägsen effekttäthet och hög effektivitet.
Ultralåg grindladdning
Zener-skyddad
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5 A 800 V, 3 Ben, TO-220FP, STF
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 800 V, 3 Ben, TO-220FP, STF
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 16 A 800 V, 3 Ben, TO-220FP, STF
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 10 A 800 V, 3 Ben, TO-220FP, STF
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V, 3 Ben, TO-220FP, STF
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 6 A 80 V, 3 Ben, TO-220FP, STF
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH