STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 65 V Förbättring, 10 Ben, PowerSO-10RF, PD5
- RS-artikelnummer:
- 330-355
- Tillv. art.nr:
- PD57018-E
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 330-355
- Tillv. art.nr:
- PD57018-E
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 65V | |
| Serie | PD5 | |
| Kapseltyp | PowerSO-10RF | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 10 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.76Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | 65°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 31.7W | |
| Maximal arbetstemperatur | 165°C | |
| Längd | 14.35mm | |
| Höjd | 3.6mm | |
| Standarder/godkännanden | J-STD-020B | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 65V | ||
Serie PD5 | ||
Kapseltyp PowerSO-10RF | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 10 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.76Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur 65°C | ||
Maximal effektförlust Pd 31.7W | ||
Maximal arbetstemperatur 165°C | ||
Längd 14.35mm | ||
Höjd 3.6mm | ||
Standarder/godkännanden J-STD-020B | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
STMicroelectronics RF POWER-transistor är en vanlig käll-N-kanal, förstärkningsläge lateral fälteffekt RF-effekttransistor. Den är utformad för kommersiella och industriella tillämpningar med hög förstärkning och bredband. Den fungerar vid 28 V i gemensamt källläge vid frekvenser på upp till 1 GHz. Enheten har utmärkt förstärkning, linjäritet och tillförlitlighet av ST: s senaste LDMOS-teknik monterad i det första riktiga SMD-plast RF-paket, PowerSO-10RF. Enhetens överlägsna linjäritetsprestanda gör den till en idealisk lösning för basstationer. PowerSO-10-plastkapseln, utformad för att erbjuda hög tillförlitlighet, är det första ST JEDEC-godkända, högeffekts SMD-kapseln. Den har optimerats speciellt för RF-behov och erbjuder utmärkt RF-prestanda och enkel montering. Monteringsrekommendationer finns på www.st.com/rf/ (se tillämpningsmeddelande AN1294).
Utmärkt värmestabilitet
Gemensam källkonfiguration
Ny RF-plastförpackning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 65 V Förbättring, 10 Ben, PowerSO-10RF, PD5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PowerSO-10RF, PD5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PowerSO-10RF, PD5
- STMicroelectronics Enkel Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PowerSO, LdmoST
- STMicroelectronics MOSFET, MOSFET 1, 0.7 A, 36 Ben 45V, PowerSO
- STMicroelectronics MOSFET, MOSFET 1, 1 A, 36 Ben 45V, PowerSO
- STMicroelectronics Enkel Typ N Kanal, MOSFET 65 V Förbättring, 4 Ben, B4E, RF2L
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK, MDmesh