ROHM, MOSFET, 10 A 80 V, 8 Ben, HSMT-8, RQ3N
- RS-artikelnummer:
- 329-148P
- Tillv. art.nr:
- RQ3N040ATTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
525,30 kr
(exkl. moms)
656,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 80 enhet(er) från den 21 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 100 - 240 | 5,253 kr |
| 250 - 490 | 4,861 kr |
| 500 - 990 | 4,491 kr |
| 1000 + | 4,301 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 329-148P
- Tillv. art.nr:
- RQ3N040ATTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | HSMT-8 | |
| Serie | RQ3N | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 126mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 15W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp HSMT-8 | ||
Serie RQ3N | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 126mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 15W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM Power MOSFET är ett paket med låg påslagningsresistans och hög effekt, lämpligt för omkoppling och motorstyrningar. Den har låg påslagningsresistans och en inbyggd gate-source-skyddsdiod, vilket gör den lämplig för användning i DC-DC-omvandlare och andra strömhanteringskretsar.
Hög effekt, liten formpaket
Blyfri plätering och RoHS-kompatibel
100 procent Rg- och UIS-testat
Halogenfri