ROHM N Kanal, MOSFET, 4 A 730 V Förbättring, 4 Ben, SOP-8, BM2PxxB3JF

Få en mängdrabatt

Lägg till 100 till för att spara 7%

Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

554,40 kr

(exkl. moms)

693,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Besparing
50 - 9511,088 kr-
100 - 49510,282 kr7%
500 - 9959,452 kr14%
1000 +9,14 kr17%

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
329-142P
Tillv. art.nr:
BM2P10B3JF-E2
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

730V

Serie

BM2PxxB3JF

Kapseltyp

SOP-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

3.6Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

10V

Maximal effektförlust Pd

0.63W

Maximal arbetstemperatur

105°C

Höjd

1.71mm

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

6.2mm

Fordonsstandard

Nej

ROHMs inbyggda switchande MOSFET PWM-typ DC/DC-omvandlare IC ger det optimala systemet för alla produkter där ett uttag är närvarande. Den är kompatibel med både isolerade och oisolerade, och olika typer av lågströmsomvandlare kan enkelt utformas. Den inbyggda 730 V startkretsen bidrar till låg strömförlust.

10 W uteffekt

Öppningsskydd för SOURCE-stift

SOURCE-stiftfunktion för framkantblankning

Överströmsdetekteringsfunktion per cykel

Soft Start-funktion

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.