onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 105 A 1200 V Förbättring, 18 Ben, PIM18, NXH
- RS-artikelnummer:
- 277-052
- Tillv. art.nr:
- NXH010P120M3F1PTG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
880,32 kr
(exkl. moms)
1 100,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 27 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 880,32 kr |
| 10 + | 792,29 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 277-052
- Tillv. art.nr:
- NXH010P120M3F1PTG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 105A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | PIM18 | |
| Serie | NXH | |
| Typ av fäste | Insnäppning | |
| Antal ben | 18 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 24.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 6V | |
| Maximal effektförlust Pd | 272W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 314nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 105A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp PIM18 | ||
Serie NXH | ||
Typ av fäste Insnäppning | ||
Antal ben 18 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 24.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 6V | ||
Maximal effektförlust Pd 272W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 314nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
ON Semiconductor strömmodul innehåller en 10 mΩ, 1200 V SiC MOSFET-halvbrygga och en termistor, allt integrerat i ett F1-paket. Denna modul är väl lämpad för högpresterande tillämpningar, inklusive solcellsväxelriktare, avbrottsfria nätaggregat (UPS), laddstationer för elfordon och industriella kraftsystem.
Presspassningsstift
Blyfri
Halidfri och RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 145 A 1200 V Förbättring, 18 Ben, PIM18, NXH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 77 A 1200 V Förbättring, 18 Ben, PIM18, NXH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 1200 V Förbättring, 18 Ben, PIM18, NXH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 105 A 1200 V Förbättring, 34 Ben, PIM34, NXH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 38 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, PIM22, NXH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 129 A 1200 V Förbättring, 29 Ben, PIM29, NXH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 149 A 1200 V Förbättring, 34 Ben, PIM34, NXH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 191 A 1200 V Förbättring, 36 Ben, PIM36, NXH