ROHM N Kanal, MOSFET, 12 A 40 V Förbättring, 7 Ben, DFN, RF9 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 265-421
- Tillv. art.nr:
- RF9G120BKFRATCR
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (10 enheter, på ett band med 10)*
65,30 kr
(exkl. moms)
81,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 6,53 kr | 65,30 kr |
| 100 - 240 | 6,194 kr | 61,94 kr |
| 250 - 490 | 5,734 kr | 57,34 kr |
| 500 - 990 | 5,286 kr | 52,86 kr |
| 1000 + | 5,096 kr | 50,96 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 265-421
- Tillv. art.nr:
- RF9G120BKFRATCR
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Serie | RF9 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 17.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 23W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp DFN | ||
Serie RF9 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 17.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 23W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHMs MOSFET av fordonskvalitet är AEC-Q101-kvalificerad, vilket gör den till ett utmärkt val för avancerade förarassistanssystem, infotainment, belysning och karosstillämpningar. Dess robusta design säkerställer tillförlitlig prestanda i kritiska fordonsmiljöer.
Blyplätering utan bly
RoHS-kompatibel
Högpresterande litet formhölje
Låg påslagningsresistans
FuktigFlank
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 40 V Förbättring, 7 Ben, DFN, RF9 AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 7 Ben, DFN, RF9 AEC-Q101
- ROHM N Kanal, MOSFET, 1 A 20 V N, 3 Ben, DFN, RV8 AEC-Q101
- ROHM N Kanal, MOSFET, 250 mA 60 V N, 3 Ben, DFN, RV8 AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 2.8 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 4.1 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 71 A 60 V Förbättring, 5 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 433 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101