ROHM N Kanal, MOSFET, 4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, DFN1212-3, RV7

Få en mängdrabatt

Lägg till 250 till för att spara 7%

Visa alternativ för volympriser

Antal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

241,00 kr

(exkl. moms)

301,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Besparing
100 - 2252,41 kr-
250 - 4752,231 kr7%
500 - 9752,052 kr14%
1000 +1,98 kr17%

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
265-381P
Tillv. art.nr:
RV7E040AJTCR1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

DFN1212-3

Serie

RV7

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

45mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Maximal effektförlust Pd

1.1W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.0nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

500μm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.2mm

Längd

1.2mm

Fordonsstandard

Nej

ROHM MOSFET är utformad för omkopplings- och lastomkopplingstillämpningar. Den är inrymd i ett blyfritt ultramint SMD-plastpaket på 1,2 x 1,2 x 0,5 mm med en exponerad dräneringsdyna och ger utmärkt värmeledning, vilket säkerställer effektiv prestanda i kompakta elektroniska konstruktioner.

RoHS-kompatibel

Låg påslagningsresistans

Blyplätering utan bly

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.