ROHM Typ N Kanal, MOSFET 30 V Förbättring, 3 Ben, DFN1212-3, RV7

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 längd med 25 enheter)*

63,40 kr

(exkl. moms)

79,25 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per tejp*
25 - 752,536 kr63,40 kr
100 - 2252,41 kr60,25 kr
250 - 4752,231 kr55,78 kr
500 - 9752,052 kr51,30 kr
1000 +1,98 kr49,50 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
265-381
Tillv. art.nr:
RV7E040AJTCR1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

DFN1212-3

Serie

RV7

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

45mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.0nC

Maximal effektförlust Pd

1.1W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.5mm

Längd

1.2mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

ROHM MOSFET är utformad för omkopplings- och lastomkopplingstillämpningar. Den är inrymd i ett blyfritt ultramint SMD-plastpaket på 1,2 x 1,2 x 0,5 mm med en exponerad dräneringsdyna och ger utmärkt värmeledning, vilket säkerställer effektiv prestanda i kompakta elektroniska konstruktioner.

RoHS-kompatibel

Låg påslagningsresistans

Blyplätering utan bly

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.