ROHM 1 Typ P Kanal, MOSFET, 15 A 40 V Avskrivningar, 8 Ben, HSMT-8, HT8KB6
- RS-artikelnummer:
- 265-123
- Tillv. art.nr:
- HT8KB6TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
78,96 kr
(exkl. moms)
98,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 7,896 kr | 78,96 kr |
| 100 - 240 | 7,504 kr | 75,04 kr |
| 250 - 490 | 6,944 kr | 69,44 kr |
| 500 - 990 | 6,395 kr | 63,95 kr |
| 1000 + | 6,16 kr | 61,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 265-123
- Tillv. art.nr:
- HT8KB6TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | HT8KB6 | |
| Kapseltyp | HSMT-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 17.2mΩ | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 14W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie HT8KB6 | ||
Kapseltyp HSMT-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 17.2mΩ | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 14W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM MOSFET är utformad för krävande tillämpningar som kräver exceptionell effektivitet och tillförlitlighet. Produkten har en robust design med låg påslagningsresistans och hög effektkapacitet, vilket gör den till ett idealiskt val för motordrivenheter och andra strömhanteringsbehov. Den utmärker sig med sin kompakta HSMT8-förpackning, vilket säkerställer enkel integrering i olika elektroniska system.
Halogenfri design stöder överensstämmelse med globala miljöstandarder
Garanterad 100 % Rg- och UIS-testning för ökad tillförlitlighet
Brett kopplingstemperaturområde möjliggör mångsidiga tillämpningar
Hög pulserad dräneringsströmkapacitet stöder krävande driftsprofiler
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 65 A 80 V Avskrivningar, 8 Ben, HSMT-8, RH
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 40 V Avskrivningar, 8 Ben, HSMT-8AG, RQ3G270BKFRA AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, HSMT-8AG, RQ3L270BLFRA AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, HSMT-8AG, RQ3L270BKFRA AEC-Q101
- ROHM P-kanal Kanal, MOSFET, 7 A -80 V, 8 Ben, HSMT
- ROHM Typ P, Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8MC5
- ROHM Typ N, Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 40 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8MB5
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3 AEC-Q101