ROHM 1 N Kanal, MOSFET, 65 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RH6

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

885,90 kr

(exkl. moms)

1 107,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 860 enhet(er) från den 21 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
100 - 2408,859 kr
250 - 4908,21 kr
500 - 9907,549 kr
1000 +7,28 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-934P
Tillv. art.nr:
RH6L040BGTB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

65A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

RH6

Kapseltyp

HSMT-8

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

7.1mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

18.8nC

Maximal effektförlust Pd

59W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Antal element per chip

1

ROHM Nch 60 V 65 A HSMT8 är en effekt-MOSFET med lågt motstånd på, lämplig för omkoppling, motordrivrutiner, likspännings- eller likspänningsomvandlare.

Litet ytomonterat hölje

Blyfri plätering

RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.