ROHM 2 N Kanal, MOSFET, 17 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K

Få en mängdrabatt

Lägg till 100 till för att spara 7%

Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

1 069,60 kr

(exkl. moms)

1 337,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 35 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Besparing
50 - 9521,392 kr-
100 - 49519,802 kr7%
500 - 99518,278 kr14%
1000 +17,584 kr17%

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-871P
Tillv. art.nr:
HP8KE6TB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

17A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

HP8K

Kapseltyp

HSOP-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

54mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

21W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.7nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

ROHMs effekt-MOSFET har en dubbel N-kanalkonfiguration med en nominell spänning på 100 V och en strömkapacitet på 17 A. Utformad i ett HSOP8-paket och erbjuder låg påslagningsresistans.

Låg på-resistans

Litet ytmonterat paket (HSOP8)

Blyfri plätering och RoHS-kompatibel

Halogenfri

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.