ROHM N Kanal, MOSFET, 1 A 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223-3, R60

Få en mängdrabatt

Lägg till 250 till för att spara 7%

Visa alternativ för volympriser

Antal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

410,40 kr

(exkl. moms)

513,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 975 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Besparing
100 - 2254,104 kr-
250 - 4753,799 kr7%
500 - 9753,499 kr14%
1000 +3,364 kr18%

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-855P
Tillv. art.nr:
R6002JND4TL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

SOT-223-3

Serie

R60

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3.25Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7.0nC

Maximal effektförlust Pd

6.6W

Framåtriktad spänning Vf

1.7V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

ROHM 600 V 1 A SOT-223-3 Presto MOS med integrerad höghastighetsdiod är en effekt-MOSFET med snabb omvänd återställningstid, lämplig för omkopplingstillämpningar. Vilket ökar designflexibiliteten samtidigt som branschens snabbaste omvänd återhämtningstid bibehålls, optimerad för laddstationer för elfordon och motordrivning i hushållsapparater som kylskåp och luftkonditioneringsapparater (AC).

Snabb omvänd återställningstid

Låg på-resistans

Snabb kopplingshastighet

Drivkretsar kan vara enkla

Blyfri plätering och överensstämmer med RoHS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.