ROHM 2 N Kanal, MOSFET, 24 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8

Få en mängdrabatt

Lägg till 100 till för att spara 7%

Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

849,00 kr

(exkl. moms)

1 061,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Besparing
50 - 9516,98 kr-
100 - 49515,724 kr7%
500 - 99514,492 kr14%
1000 +13,956 kr17%

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-758P
Tillv. art.nr:
HP8KC7TB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

24A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

HP8

Kapseltyp

HSOP-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

11.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

26W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

22.0nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS, Halogen Free

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

ROHM 60 V 24 A Dual Nch+Nch är en MOSFET med låg påslagningsresistans som är idealisk för omkopplingstillämpningar.

Litet ytmonterat paket (HSOP8)

Blyfri plätering och RoHS-kompatibel

Halogenfri

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.