ROHM 2 N Kanal, MOSFET, 23 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- RS-artikelnummer:
- 264-757P
- Tillv. art.nr:
- HP8KC6TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 154,60 kr
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
1 059,50 kr
(exkl. moms)
1 324,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 11 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 50 - 95 | 21,19 kr | - |
| 100 - 495 | 19,644 kr | 154,60 kr |
| 500 - 995 | 18,10 kr | 1 545,00 kr |
| 1000 + | 17,382 kr | 3 808,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-757P
- Tillv. art.nr:
- HP8KC6TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 23A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | HSOP-8 | |
| Serie | HP8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 27mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 21W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 23A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp HSOP-8 | ||
Serie HP8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 27mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 21W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM 60 V 23 A Dual Nch+Nch är en MOSFET med låg påslagningsresistans som är idealisk för omkopplingstillämpningar.
Litet ytmonterat paket (HSOP8)
Blyfri plätering och RoHS-kompatibel
Halogenfri