ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 750 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, SCT4026
- RS-artikelnummer:
- 264-586
- Tillv. art.nr:
- SCT4026DWATL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 5 enheter)*
775,49 kr
(exkl. moms)
969,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 155,098 kr | 775,49 kr |
| 50 + | 147,348 kr | 736,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-586
- Tillv. art.nr:
- SCT4026DWATL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 51A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 750V | |
| Serie | SCT4026 | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 26mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 94nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 51A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 750V | ||
Serie SCT4026 | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 26mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 3.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 94nC | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM 750 V 51 A kiselkarbid SiC trench MOSFET i ett 7-stifts SMD-paket erbjuder hög spänningsresistans, låg påslagningsresistans och snabb omkopplingshastighet.
Låg på-resistans
Snabb kopplingshastighet
Snabb omvänd återhämtning
Enkel att parallellkoppla
Enkel att driva
Blyfri plätering och RoHS-kompatibel
Brett krypningsavstånd som motsvarar min. 4,7 mm
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 750 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, SCT4026 AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 750 V Förbättring, 7 Ben, TO-263
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 750 V Förbättring, 7 Ben, TO-263 AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 98 A 750 V Förbättring, 7 Ben, TO-263
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 750 V Förbättring, 7 Ben, TO-263
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 750 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, SCT4045
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 750 V Förbättring, 7 Ben, TO-263 AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263