ROHM N Kanal, MOSFET, 210 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS6

Få en mängdrabatt

Lägg till 100 till för att spara 127,60 kr

Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

862,40 kr

(exkl. moms)

1 078,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Besparing
50 - 9517,248 kr-
100 - 49515,972 kr127,60 kr
500 - 99514,694 kr1 277,00 kr
1000 +14,156 kr3 092,00 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-580P
Tillv. art.nr:
RS6G120BHTB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

210A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

RS6

Kapseltyp

HSOP-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.38mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

67.0nC

Maximal effektförlust Pd

104W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

ROHMs N-kanal 40 V 210 A effekt-MOSFET i ett HSMT8-paket har låg påslagningsresistans och en högströmsdesign, vilket gör den idealisk för omkoppling, motorstyrningar och DC- eller DC-omvandlartillämpningar.

Låg på-resistans

Hög effekt, liten formpaket HSMT8

Blyfri plätering och överensstämmer med RoHS

Halogenfri

100 % Rg- och UIS-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.