onsemi Typ N Kanal, MOSFET och diod, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, NTD
- RS-artikelnummer:
- 220-565
- Tillv. art.nr:
- NTD280N60S5Z
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 5 enheter)*
163,30 kr
(exkl. moms)
204,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 475 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 32,66 kr | 163,30 kr |
| 50 - 95 | 31,024 kr | 155,12 kr |
| 100 - 495 | 28,762 kr | 143,81 kr |
| 500 - 995 | 26,50 kr | 132,50 kr |
| 1000 + | 25,492 kr | 127,46 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-565
- Tillv. art.nr:
- NTD280N60S5Z
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | NTD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 224mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17.9nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 89W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, Pb-Free, 100% Avalanche Tested | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie NTD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 224mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17.9nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 89W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, Pb-Free, 100% Avalanche Tested | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The ON Semiconductor MOSFET Easy Drive series combines excellent switching performance without sacrificing ease of use and EMI issues for both hard and soft switching topologies.
Halogen Free
RoHS Compliant
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal 20 A 30 V Förbättring TO-252, NTD AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal 13 A 800 V Förbättring TO-252, SUPERFET III
- onsemi Typ N Kanal 58 A 1200 V TO-252, NTD
- onsemi Typ N Kanal 20 A 60 V Förbättring TO-263, NTD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 13 A 600 V Förbättring TO-252, IPD50R
- Infineon Typ N Kanal 13 A 600 V Förbättring TO-252, IPD50R
- onsemi Typ N Kanal 2.8 A 600 V Förbättring TO-252, QFET
- onsemi Typ N Kanal 7 A 600 V Förbättring TO-252, SuperFET
