Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, PSM
- RS-artikelnummer:
- 219-429
- Tillv. art.nr:
- PSMN4R8-100BSEJ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
40,99 kr
(exkl. moms)
51,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 582 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 40,99 kr |
| 10 - 99 | 36,85 kr |
| 100 + | 34,05 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-429
- Tillv. art.nr:
- PSMN4R8-100BSEJ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | 25°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 405W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 278nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur 25°C | ||
Maximal effektförlust Pd 405W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 278nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Nexperia N-kanal MOSFET har mycket låg RDS(on) och förbättrad prestanda för säkert driftsområde. Den är optimerad för hot-swap-kontroller, som kan tåla höga inloppsströmmar och minimera I2R-förluster för förbättrad effektivitet. Tillämpningar inkluderar varmbyte, lastomkoppling, mjukstart och e-säkerhet.
SOA för överlägsen linjär drift
LFPAK88-huset för tillämpningar som kräver högsta prestanda
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 225 A 80 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 255 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 200 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 61 A 25 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM