Nexperia N Kanal, MOSFET, 280 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- RS-artikelnummer:
- 219-424
- Tillv. art.nr:
- PSMN1R0-40YLDX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (1 rulle med 1500 enheter)*
29 175,00 kr
(exkl. moms)
36 465,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | 19,45 kr | 29 175,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-424
- Tillv. art.nr:
- PSMN1R0-40YLDX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 280A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 198W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 59nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 4.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 280A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 198W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 59nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 4.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Nexperia N-kanal MOSFET har NextPowerS3-portföljen med NXP:s unika SchottkyPlus-teknik som ger hög effektivitet, låg spikprestanda, vanligtvis förknippad med MOSFETS med en integrerad Schottky- eller Schottky-liknande diod men utan problematisk hög läckeström. NextPowerS3 är särskilt lämplig för tillämpningar med hög effektivitet vid höga omkopplingsfrekvenser.
Låg parasitisk induktion och motstånd
Avalanche-klassad
Kan löddas med våg
Supersnabb växling med mjuk återhämtning
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 280 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 300 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 275 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 325 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 240 A 25 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 225 A 80 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM