Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- RS-artikelnummer:
- 219-384
- Tillv. art.nr:
- PSMN8R5-40MLDX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
6,27 kr
(exkl. moms)
7,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,27 kr |
| 10 - 99 | 5,82 kr |
| 100 - 499 | 5,38 kr |
| 500 - 999 | 4,82 kr |
| 1000 + | 4,48 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-384
- Tillv. art.nr:
- PSMN8R5-40MLDX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 59W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 59W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Nexperia N-kanal MOSFET använder avancerad TrenchMOS Super junction-teknik. Förpackningen är kvalificerad för 175 °C. Den är utformad för högpresterande effektomkopplingstillämpningar. Nyckeltillämpningar inkluderar automation, robotteknik, DC-till-DC-omvandlare, borstlös DC-motorstyrning, industriell belastningsswitching, eFuse och inrush-hantering.
Låg parasitisk induktion och motstånd
Hög tillförlitlighet, klämklädd och löddämpad, Power SO8-hus
Kan löddas med våg
Supersnabb växling med mjuk återhämtning
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 76 A 60 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 25 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 86 A 60 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 225 A 80 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 255 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM