Nexperia N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, PSM
- RS-artikelnummer:
- 219-347
- Tillv. art.nr:
- PSMN3R7-100BSEJ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (1 rulle med 800 enheter)*
42 983,20 kr
(exkl. moms)
53 728,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | 53,729 kr | 42 983,20 kr |
*vägledande pris
Alternativ
Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.
Var (i en rulle med 800)
32 223,20 kr
(exkl. moms)
40 279,00 kr
(inkl. moms)
- RS-artikelnummer:
- 219-347
- Tillv. art.nr:
- PSMN3R7-100BSEJ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.95mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 176nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | 25°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 405W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.95mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 176nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur 25°C | ||
Maximal effektförlust Pd 405W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Nexperia N-kanal MOSFET har mycket låg RDS(on) och förbättrad prestanda för säkert driftsområde. Den är optimerad för hot-swap-kontroller, som kan tåla höga inloppsströmmar och minimera I2R-förluster för förbättrad effektivitet. Tillämpningar inkluderar varmbyte, lastomkoppling, mjukstart och e-säkerhet.
SOA för överlägsen linjär drift
LFPAK88-huset för tillämpningar som kräver högsta prestanda
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 115 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 66 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 300 A 25 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM