Nexperia N Kanal, MOSFET, 250 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, NextPowerS3
- RS-artikelnummer:
- 219-341
- Tillv. art.nr:
- PSMN1R2-30YLDX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (1500 enheter, på en rulle med 1500)*
22 972,50 kr
(exkl. moms)
28 716,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 500 enhet(er) från den 29 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | 15,315 kr | 22 972,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-341
- Tillv. art.nr:
- PSMN1R2-30YLDX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 250A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | LFPAK | |
| Serie | NextPowerS3 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 194W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 250A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp LFPAK | ||
Serie NextPowerS3 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 194W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Nexperia N-kanal MOSFET har NextPowerS3-portföljen med NXP:s unika SchottkyPlus-teknik som ger hög effektivitet, låg spikprestanda, vanligtvis förknippad med MOSFETS med en integrerad Schottky- eller Schottky-liknande diod men utan problematisk hög läckeström. NextPowerS3 är särskilt lämplig för tillämpningar med hög effektivitet vid höga omkopplingsfrekvenser.
Låg parasitisk induktion och motstånd
Hög tillförlitlighet, klämklädd och löddämpad, Power SO8-hus
Kan löddas med våg
Supersnabb växling med mjuk återhämtning
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 250 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, NextPowerS3
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 230 A 25 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, NextPowerS3
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 300 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, NextPowerS3
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, NextPowerS3 Technology
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 42 A 40 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK, NextPowerS3
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 150 A 25 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, NextPowerS3
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 330 A 55 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, MOSFETs
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 66 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM