Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 380 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- RS-artikelnummer:
- 219-329
- Tillv. art.nr:
- PSMNR58-30YLHX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
39,20 kr
(exkl. moms)
49,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 39,20 kr |
| 10 - 99 | 35,39 kr |
| 100 - 499 | 32,48 kr |
| 500 - 999 | 30,24 kr |
| 1000 + | 26,99 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-329
- Tillv. art.nr:
- PSMNR58-30YLHX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 380A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.67mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 333W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 380A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.67mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximal effektförlust Pd 333W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Nexperia N-kanal MOSFET är optimerad för låg RDSon, låg IDSS-läckage även vid höga temperaturer, hög effektivitet och hög strömhantering. Den är idealisk för likspänningsbelastningsomkopplare och hetswapp-tillämpningar. Nyckelanvändningar inkluderar varmbyte, e-säkerhet, strömförsörjning eller inkoppling, växling mellan likspänning och belastning, batteriskydd och borstad/BLDC-motorstyrning.
Kopparclips för låg parasitisk induktion och motstånd
LFPAK-hus med hög tillförlitlighet
Kvalificerad till 175 °C
Kan löddas med våg
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 380 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 380 A 25 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 225 A 80 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 255 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 200 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 61 A 25 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 57 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM