Nexperia N Kanal, MOSFET, 240 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, NextPower-S3 Schottky-Plus

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1500 enheter)*

31 234,50 kr

(exkl. moms)

39 043,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 1 500 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1500 +20,823 kr31 234,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
219-292
Tillv. art.nr:
PSMN1R4-40YSHX
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

240A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

LFPAK

Serie

NextPower-S3 Schottky-Plus

Typ av fäste

Yta

Antal ben

5

Maximal drain-källresistans Rds

1.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

10V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

96nC

Maximal effektförlust Pd

333W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
PH
Nexperia N-kanal MOSFET har avancerad TrenchMOS Super junction-teknik. Den här produkten har utformats och certifierats för högpresterande effektomkopplingstillämpningar. Den är utformad för högpresterande tillämpningar, inklusive synkron utjämning, DC-till-DC-omvandlare, servernätaggregat, borstlös DC-motorstyrning och batteriskydd. Den erbjuder hög effektivitet och pålitlig prestanda i ett brett utbud av strömhanteringsuppgifter.

Låg parasitisk induktion och motstånd

Hög tillförlitlighet, klämklädd och löddämpad, Power SO8-hus

Kan löddas med våg

Supersnabb växling med mjuk återhämtning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.