onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247-3L, NVHL AEC-Q
- RS-artikelnummer:
- 218-669
- Tillv. art.nr:
- NVHL070N120M3S
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 1 enhet)*
164,19 kr
(exkl. moms)
205,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 899 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Förpackning(ar) | Per förpackning |
|---|---|
| 1 - 9 | 164,19 kr |
| 10 - 99 | 147,84 kr |
| 100 + | 136,42 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-669
- Tillv. art.nr:
- NVHL070N120M3S
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 34A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | NVHL | |
| Kapseltyp | TO-247-3L | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 57nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 160W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4.7V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 34A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie NVHL | ||
Kapseltyp TO-247-3L | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 57nC | ||
Maximal effektförlust Pd 160W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 4.7V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
ON Semiconductor MOSFET: er är optimerade för snabba omkopplingstillämpningar. Planarteknik fungerar tillförlitligt med drivning av negativ grindspänning och stänger av spikar på grinden. Denna familj har optimal prestanda när den drivs med 18 V grindstyrning men fungerar också bra med 15 V grindstyrning.
Halogenfri
RoHS-märkt
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247-3L, NTH
- onsemi, IGBT 650 V, 3 Ben, TO-247-3L Yta
- Starpower, IGBT Diskret, N Kanal, 100 A 1200 V, 3 Ben, TO-247-3L
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NVH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 102 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NVH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 84 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH