IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 150 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227
- RS-artikelnummer:
- 194-259
- Tillv. art.nr:
- IXFN180N15P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
346,53 kr
(exkl. moms)
433,16 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 346,53 kr |
| 5 + | 311,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 194-259
- Tillv. art.nr:
- IXFN180N15P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 150A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | SOT-227 | |
| Typ av fäste | Panelmontering | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 240nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 680W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 9.6mm | |
| Längd | 38.23mm | |
| Bredd | 25.42mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 150A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp SOT-227 | ||
Typ av fäste Panelmontering | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 240nC | ||
Maximal effektförlust Pd 680W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 9.6mm | ||
Längd 38.23mm | ||
Bredd 25.42mm | ||
N-kanalig effekt-MOSFET, IXYS HiperFETTM PolarTM-serien
N-kanals effekt-MOSFET med snabb intrinsisk diod (HiPerFETTM) från IXYS
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett sortiment av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS