IXYS N Kanal, MOSFET, 24 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 6 enheter (levereras i ett rör)*

506,70 kr

(exkl. moms)

633,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 60 enhet(er) från den 23 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
6 - 1484,45 kr
15 +80,42 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
194-079P
Tillv. art.nr:
IXFH24N80P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

24A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Serie

HiperFET, Polar

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

400mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

650W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

105nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-30V, +30V

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

16.26mm

Bredd

5.3mm

Höjd

21.46mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie


N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.