STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET F6

Mängdrabatt möjlig

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

985,60 kr

(exkl. moms)

1 232,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 410 enhet(er) från den 04 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
50 - 9519,712 kr
100 - 49518,278 kr
500 - 99516,778 kr
1000 +16,128 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
151-912P
Tillv. art.nr:
STD35P6LLF6
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

35A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

STripFET F6

Kapseltyp

TO-252

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.028Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

70W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

30nC

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

STMicroelectronics P-kanals effekt-MOSFET, som utvecklats med STripFET F6-teknik, med en ny grindgrindstruktur. Den resulterande Power MOSFET har mycket låg RDS(on) i alla höljen.

Mycket lågt motstånd under drift

Mycket låg grindladdning

Hög motståndskraft mot laviner

Låg effektförlust för grinddrivning